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Hot News / 文创热点
2026 - 01 - 07
点击次数: 12
引言:迎接挑战,把握质量核心在半导体产业,特别是功率器件领域,可控硅(SCR)作为关键元件,其电性能参数的精确性与一致性直接关系到终端产品的可靠性、能效与寿命。面对日益严苛的市场标准与大规模生产需求,传统测试方法在效率、精度、稳定性及数据管理方面已显乏力。如何实现快速、精准、可靠的生产线全参数测试,成为企业提升竞争力必须跨越的关口。可控硅生产线测试系统为此,我们隆重推出专为生产线优化设计的...
2025 - 11 - 05
点击次数: 33
睿能·非衡_系列正负不对称双极性脉冲电源PPS±feih1. 产品概述正负不对称双极性脉冲电源PPS±feihjs4399金沙线开发生产。睿能·非衡系列电源专为高级镀膜工艺而设计的高精度、高性能电源解决方案。 正负不对称双极性脉冲电源PPS±feih它创新性地采用了双极性不对称输出设计,可独立产生+1200V/选配2000V的正脉冲...
2025 - 04 - 16
点击次数: 41
IGBT模块静参数测试仪系统@测试参数IGEs∶栅极漏流VGE(th)∶栅极发射极阈值电压VCEsat∶集电极发射极饱和电压VF∶二极管正向压降ICEs∶集电极截止电流VCES∶集电极击穿电压IGBT模块静参数测试仪系统@输出配置集电极电压(VCE):标配:6500V选配:10KV,6.5KV,4.5KV,3.3KV集电极电流(ICE):标配:1600A选配:10KA,5KA,2400A,1600...
发布时间: 2025 - 04 - 15
高压(0~200kV)高速(100ps~100ms)高频(0-5MHz)多波形,双极性,重频可调,脉冲平顶宽度从0ns到DC,脉冲频率可达MHz,可匹配阻性、容性(pF到nF)和感性负载。脉冲的波形可以是方波、三角波、指数波等,脉冲的关键特征参数均可编程控制......。基于MOSFET/IGBT及第三代半导体器件SiC/GaN以及自研的SiC-DSRD/碳化硅漂移阶跃恢复二极管作为提升电源性能的核心。结合程控式、可设置、绝缘、散热等核心技术作为加持,致力于脉冲电源及脉冲功率技术研究与应用。公司产品支持定制、半定制。应用范围涵盖材料处理、生物医学、半导体测试、电光调制、激光泵浦、农业食品、能源化工、环境治理、航空航天等科研和工业领域。
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